Русский English
Home Products Продукция компании Gallium Semiconductor

Продукция компании Gallium Semiconductor

Компания Gallium Semiconductor, располагающаяся в Сингапуре и обладающая глобальной сетью центров НИОКР, рабочих подразделений и отделов продаж, занимается разработкой и изготовлением инновационных силовых СВЧ GaN транзисторов и усилителей мощности для применения в областях передовых технологий беспроводной связи 5G, изделиях ISM диапазона и других сферах широкого рынка. Gallium Semiconductor предлагает обширную линейку дискретных GaN-on-SiC транзисторов с различными уровнями выходной мощности в пластмассовых и керамических корпусах, а также поставку в форме порезанных чипов.

АО "Синтез Микроэлектроника" является официальным представителем и поставщиком на территории России изделий компании Gallium Semiconductor.

Силовые СВЧ транзисторы (GaN-on-SiC HEMT)
Шифр изделияЧастота (ГГц)Psat (Вт)Эффективность (%)Напряжение (В)КорпусСтатусСпецификация 
GT010D DC - 8.0 10 68 50 DFN14 (6x3 мм) Предварительно Скачать
GT020D DC – 7.0 20 65 50 DFN14 (6x3 мм) Предварительно Скачать
GT030D DC - 6.0 30 63 50 DFN14 (6x3 мм) Предварительно Скачать
GT060D DC - 6.0 60 62 50 DFN14 (6x3 мм) Предварительно Скачать
GT065D DC – 3.7 60 62 50 DFN14 (6x3 мм) Предварительно Скачать
GT080D DC – 3.7 80 60 50 DFN14 (6x3 мм) Предварительно Скачать
GT090D DC – 3.7 90 60 50 DFN14 (6x3 мм) Предварительно По запросу
GT135D DC – 3.2 150 70 50 DFN14 (6x3 мм) Передовое изделие Скачать
GD010 DC - 8.0 10 68 50 Чип В производстве Скачать
GD020 DC – 7.0 20 65 50 Чип В производстве Скачать
GD030 DC - 6.0 30 63 50 Чип В производстве Скачать
GD060 DC - 6.0 60 62 50 Чип В производстве Скачать
GD080 DC – 3.7 80 60 50 Чип В производстве Скачать
GD090 DC – 3.7 90 60 50 Чип В производстве Скачать
GD135 DC – 3.2 150 72 50 Чип Передовое изделие Скачать
*Рабочие характеристики при 50 В, Idq 10 мА/мм, 100 нс импульс 10% рабочий цикл на 3.6 ГГц
Линейные широкополосные усилители мощности
Шифр изделияЧастота (ГГц)OP1 при 3.6 ГГц (дБм)Усиление 3.6 ГГц (дБ)Коэффициент шума (дБ)Idq при 5 В (мА)КорпусОсобенностиСпецификация 
GA-001 0.03-8 17 17 4 66 SOT-89   По запросу
GA-101 0.4-6 24.4 16.8  5.1 81 QFN16 (3x3 мм)   По запросу
GA-102 0.4-5 27 15 5.3 158 QFN16 (3x3 мм) Power down, Power control По запросу
GA-103 0.4-4 30 15 5.3 275 QFN16 (3x3 мм) Power down, Power control По запросу
GA-201 0.4-6 24 30  4.4 97 QFN16 (3x3 мм) Power down, Power control По запросу
GA-202 0.4-5 27 29  4.6 200 QFN16 (3x3 мм) Power down, Power control По запросу
GA-203 0.4-6 28 30  5.2 285 QFN16 (3x3 мм) Power down, Power control По запросу